美國科學(xué)家成功制造出波長(zhǎng)255nm、功率0.57w以及波長(zhǎng)250nm、功率0.16w的紫外發(fā)光二極管(led)。該組件尚未封裝，該研究小組希望藉由覆晶接合(flip-chip bonding)能將功率等級(jí)提高3到5倍。此波段的極深紫外光(ultradeep ultraviolet, uduv)光源未來可能取代水銀燈泡，作為生物與化學(xué)傳感器的激發(fā)光源。南卡羅來納大學(xué)的asif khan等人生長(zhǎng)出含鋁量高達(dá)72﹪的高品質(zhì)algan層，并以它們做為發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)中的批覆層(cladding)，用來制造uduv組件。研究人員采用藍(lán)寶石做為led基板，沉積的第一層是aln緩沖層，接著是十層的aln/algan超晶格(superlattice)，接著是厚度1.4微米的al0.72ga0.28n批覆層。 該小組表示，選用鋁含量72﹪的algan層是為了使材料在波長(zhǎng)250nm時(shí)材料仍為透明，這一層是決定組件性能的關(guān)鍵。工作區(qū)(active region)包含3個(gè)量子井(quantum wells)，改變鋁含量可使發(fā)射波長(zhǎng)在250至200nm之間做調(diào)整。 研究人員在脈沖偏壓條件(pulsed biased conditions)下測(cè)試了波長(zhǎng)為255nm的200平方微米的組件以及波長(zhǎng)為250nm的150平方微米的組件，兩者的尖峰輸出功率對(duì)應(yīng)的激發(fā)電流分別為200ma與300ma，射極(emitter)的外部量子效率(external quantum efficiencies)分別為0.015﹪及0.01﹪。紫外發(fā)光二極管廣泛應(yīng)用于:金屬裂痕、裂紋的檢測(cè),光觸媒光源，驗(yàn)鈔點(diǎn)鈔設(shè)備，防偽行業(yè)，及醫(yī)療測(cè)量和生物統(tǒng)計(jì)安全性檢測(cè)，液壓檢漏等等領(lǐng)域。
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